Hersteller Produktnummer:
SPB21N10 G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPB21N10 G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12808471
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SPB21N10 G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 44µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
865 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SPB21N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000102171
SPB21N10GXT
SPB21N10 G-DG
SPB21N10G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB30NF10T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
971
TEILNUMMER
STB30NF10T4-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF540SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2846
TEILNUMMER
IRF540SPBF-DG
Einheitspreis
0.90
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
